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Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW - SSD - chiffré - 4 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 4 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption
Information
58 En stock
ConstructeurSamsung
Réf. Produit
MZ-77Q4T0BW
Général |
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
Capacité | 4 To |
Cryptage matériel | Oui |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Type de mémoire flash NAND | Cellule à quatre niveaux (QLC) |
Format | 2.5" |
Interface | SATA 6Gb/s |
Taille de la mémoire tampon | 4 Go |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 |
Largeur | 69.85 mm |
Profondeur | 100 mm |
Hauteur | 6.8 mm |
Poids | 54 g |
Performances |
Endurance SSD | 1.44 PB |
Débit de transfert interne | 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture) |
Lecture aléatoire 4 Ko | 11000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko | 35000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 88000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 98000 IOPS |
Fiabilité |
Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
Expansion et connectivité |
Interfaces | 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches |
Baie compatible | 2.5" |
Alimentation |
Consommation électrique | 3.3 Watt (moyenne) 5.5 Watt (maximum) 0.045 Watt (inactif) |
Garantie du fabricant |
Service et maintenance | Garantie limitée - 3 ans |
Caractéristiques d’environnement |
Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 0.5 ms half-sine |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0,5 ms |
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